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半導體器件檢測

健明迪檢測提供的半導體器件檢測,檢測項目:指標檢測,封裝檢測,功率檢測,外觀檢測,非標試驗,絕緣測試,檢測標準參考:BSEN13605-2002銅和銅合金電子管、半導體器件和真空設(shè)備,具有CMA,CNAS認證資質(zhì)。
半導體器件檢測
我們的服務 半導體器件檢測

檢測優(yōu)勢

1、初檢樣品小樣,初檢期間不收取任何費用。

2、健明迪檢測國家高新技術(shù)企業(yè)。

3、健明迪檢測所出具的食品檢測報告認可,支持掃碼查詢真?zhèn)巍?/p>

4、健明迪檢測多家實驗室分支,支持上門取樣,也支持寄樣檢測。

5、檢測周期全,檢測費用低,實驗方案齊全。

檢測流程

1、寄樣。(咨詢工程師提交檢測需求,然后給我們郵寄樣品)

2、初檢樣品。(收到樣品之后,初檢樣品,制定詳細的實驗方案)

3、報價。(初檢之后,根據(jù)實驗復雜程度以及客戶檢測需求進行報價)

4、雙方確定,簽訂保密協(xié)議,開始實驗。(嚴格保護客戶隱私)

5、結(jié)束實驗。(7-10個工作日完成實驗)

6、郵寄檢測報告,后期服務。

檢測標準

AS 1852.521-1988國際電工詞匯 第521部分:半導體器件和集成電路

AS 60269.4.0-2005低壓熔斷器 第4.0部分:半導體器件保護用熔斷器的補充要求(IEC 60269-4:1986/Amd.1:1995) 替代AS 2005.40:1989

ASTM F1192-2011半導體器件重離子照射感應產(chǎn)生的單件信號現(xiàn)象的測量標準指南

ASTM F1467-2011半導體器件和微電路的電離輻射效應試驗中X射線測試儀(近似等于10keV輻射量子)的使用標準指南

BS 3839-1978電子管及半導體器件用高導電率無氧銅規(guī)范

BS 3934-5-1997半導體器件的機械標準化.第5部分:集成電路膠帶自動粘合的推薦方法

BS 6493-1-3-1986半導體器件.分立器件.信號(包括開關(guān))和調(diào)節(jié)二極管推薦規(guī)范

BS 6493-1-5-1992半導體器件.分立器件.光電子器件的推薦方法

BS 6493-2-3-1987半導體器件.集成電路.模擬集成電路推薦規(guī)范

BS EN 13604-2002銅和銅合金 電子管、半導體器件和真空設(shè)備用高電導率銅

BS EN 13605-2002銅和銅合金 電子管、半導體器件和真空設(shè)備用高電導率銅

BS EN 60191-3-2000半導體器件的機械標準化 第3部分:集成電路外形圖繪制的一般規(guī)則 IEC 60191-3:1999;替代BS 3934-3:1992

BS EN 60191-4-2000半導體器件的機械標準化 第4部分:半導體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng) IEC 60191-4:1999;替代BS 3934-4:1992

BS EN 60191-6-1-2001半導體器件的機械標準化 第6-1部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 鷗形翼引線端子的設(shè)計指南 IEC 60191-6-1:2001

BS EN 60191-6-2-2002半導體器件的機械標準化 第6-2部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 1.50mm,1.27mm和1.00mm間距球狀和柱狀端子封裝的設(shè)計指南

BS EN 60191-6-3-2001半導體器件的機械標準化 第6-3部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 四面扁平封裝尺寸的測量方法 IEC 60191-6-3:2000

BS EN 60191-6-4-2003半導體器件的機械標準化 第6-4部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 球狀矩陣排列(BGA)封裝尺寸的測量方法

BS EN 60191-6-5-2001半導體器件的機械標準化 第6-5部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 細距球狀矩陣排列(FBGA)的設(shè)計導則 IEC 60191-6-5:2001

BS EN 60191-6-6-2001半導體器件的機械標準化 第6-6部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 細距基板柵格陣列(FLGA)的設(shè)計導則 IEC 60191-6-6:2001

BS EN 60191-6-8-2001半導體器件的機械標準化 第6-8部分:表面安裝半導體器件封裝外形圖繪制的一般原則 玻璃密封陶瓷方形扁平封裝(G-QFP)的設(shè)計導則 IEC 60191-6-8:2001

檢測樣品:半導體器件

檢測項目:指標檢測,封裝檢測,功率檢測,外觀檢測,非標試驗,絕緣測試,功率循環(huán)(PCsec),功率循環(huán)(PCmin),高溫阻斷,高溫棚極偏置等

檢測周期:7-15個工作日(參考周期)

檢測項目:指標檢測,封裝檢測,功率檢測,外觀檢測,非標試驗,絕緣測試,功率循環(huán)(PCsec),功率循環(huán)(PCmin),高溫阻斷,高溫棚極偏置等,檢測標準參考:BS EN 13605-2002銅和銅合金 電子管、半導體器件和真空設(shè)備用高電導率銅。
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